SKKUの研究者、酸化亜鉛半導体で室温「スピン量子ビット」欠陥を発見


重要なパラメータを用いた欠陥候補探索の計算ワークフロー。

成均館大学(SKKU)のホソン・ソ教授が率いる国際研究チームは、ウィスコンシン大学マディソン校およびワシントン大学の研究者と協力し、高忠実度の「スピン量子ビット」として機能する可能性のある、酸化亜鉛(ZnO)中の新しい原子欠陥を計算で特定しました。この研究成果はPRX Quantumに掲載され、モリブデン-酸素空孔複合体[(MoZnvO)2+]が光学的にアドレス可能な深準位スピン三重項欠陥として提案されています。この発見は、すでに世界の商用製造プロセスに深く統合されているワイドバンドギャップ半導体であるZnOにおいて、堅牢な室温スピン量子ビットが初めて特定されたことを示しています。

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