国際チームがガリウム超ドープゲルマニウムエピタキシャル薄膜で超伝導を実現

国際的な科学者チームが、超伝導を示すゲルマニウム(Ge)の形態を作り出すことに成功しました。これは、量子エレクトロニクスおよび極低温エレクトロニクスにとって重要な進歩です。 Nature Nanotechnologyに掲載されたこの研究は、3.5ケルビン（約-269.65℃）で電気抵抗ゼロで電気を伝導できる薄膜の製造を報告しています。この画期的な成果は、望ましい伝導特性を備えた最適な原子構造を維持することにより、半導体材料で超伝導を実現するという課題に対応するものです。